Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 3 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
С помощью методов переходного поперечного акустоэлектрического напряжения и переходной емкости на границе раздела в эпитаксиальных структурах n-GaAs/i-GaAs обнаружены глубокие ловушечные уровни с энергиями активации 0.54 и 0.48 эВ. Методом переходного поперечного акустоэлектрического напряжения определены времена релаксации и эффективные сечения захвата электронов для этих центров. Проведено сравнение двух методик - непрерывный и импульсный режим измерения поперечного акустоэлектрического напряжения. Обе методики в пределах погрешности измерений дают одинаковые значения времени релаксации. Непрерывный режим измерений более удобен для определения малых времен релаксации (<1 мс); импульсный режим предпочтителен для определения больших времен релаксации (>1 мс).
- A. Chantre, G. Vinsent, D. Bios. Phys. Rev. B, 23, 5335 (1981)
- A. Cola, M.G. Lupo, L. Vasanelli, A. Valentini. Sol. St. Electron., 36, 785 (1993)
- H. Gilboa, P. Das. Surf. Sci., 62, 536 (1977)
- G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
- G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 30, 1893 (1984)
- G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
- A. Jorio, C. Rejeb, M. Parenteau, C. Carlone, M. Khanna Shyam. J. Appl. Phys., 74, 2310 (1993)
- R.B. Beall, R.C. Newman, J.E. Whitehouse, J. Woodhead. J.Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3273 (1985)
- J. Weber, G.D. Watkins. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, L269 (1985)
- A. Abbate, K.J. Han, I.V. Ostrovskii, P. Das. Sol. St. Elrctron., 36, 697 (1993)
- И.В. Островский, С.В. Сайко, Р.К. Савкина. ФТП, 28, 796 (1994)
- Ю.В. Гуляев, А.М. Кмита, А.В. Медведь, В.П. Плесский, Н.Н. Шибанова, В.Н. Федорец. ФТТ, 17, 3505 (1975)
- А.В. Ржанов.\it Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
- K.J. Han. \it Electrical Characterization of Semiconductors Using Surface Acoustic Wave, Ph. D. Thesis (Rensseelar Polytechnic Institute, 1992)
- H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, D. Deresmes, A.Huber, I.C. Bourgoin. Phys. Rev., 34, 7192 (1986)
- И.В. Островский, С.В. Сайко. Поверхность, вып. 10--11, 62 (1994)
- И.В. Островский, С.В. Сайко. ФТТ, 35, 1043 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
