Термоградиентный концентрационный эффект в биполярном полупроводнике
Конин А.М.1, Сащук А.П.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 4 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Исследовано изменение электропроводности биполярного полупроводника при воздействии на него поперечного градиента температуры. Получены выражения, описывающие этот эффект в собственном полупроводнике при произвольных скоростях поверхностной рекомбинации и значительных градиентах температур. Показано, что развитая теория достаточно хорошо описывает эксперимент на образцах из Ge, особенно при поперечной разности температур менее 10 K.
- Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
- З.С. Грибников. ФТП, 14, 483 (1980)
- Ю.Г. Гуревич, О.Л. Машкевич. ФТП, 24, 1327 (1990)
- В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 17, 726 (1983)
- А.М. Конин, В.Г. Рудайтис, А.П. Сащук. Лит. физ. сб., 30, 285 (1990)
- С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук