Энергетический спектр и фотолюминесценция структуры GaAs (delta-Sn), выращенной на вицинальной грани
Кадушкин В.И.1, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Синтезирована структура GaAs (delta-Sn) на вицинальной грани GaAs с периодическим потенциалом в плоскости delta-слоя. Измерены спектры фотолюминесценции и осцилляции поперечного магнитосопротивления. Выполнен расчет зонной диаграммы структуры GaAs (delta-Sn).
- J.H. Neave, P.J. Dodson, B.A. Joyce, J. Zhang. Appl. Phys. Lett., 47, 100 (1985)
- T. Fukui, H. Saito, V. Tokura. Japan J. Appl. Phys., 27, L320 (1988)
- В.И. Кадушкин, А.П. Сеничкин. ФТП, 24, 2080 (1990)
- R. Notzel, K.H. Ploog. Adv. Mater., 5, 22 (1993)
- Ж.И. Алферов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. ФТП, 26, 1715 (1992)
- M. Tanaka, J. Motohisha, H. Sakaki. Surf. Sci., 228, 408 (1990)
- V.I. Kadushkin, V.A. Kulbachinskii, A.P. Senichkin, A.S. Bugaev, V.G. Kytin, E.L. Shangina, A. de Visser. Phys. Low-Dim. Struct., 1, 53 (1994)
- А. де Виссер, В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, Е.Л. Шангина. Письма ЖЭТФ, 59, 340 (1994)
- В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.П. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994)
- А.Ф. Кравченко, В.В. Назинцев, А.П. Савченко, А.С. Терехов. ФТТ, 21, 1551 (1979)
- В.В. Волцит, А.В. Дражан, В.А. Зуев, М.Т. Иванийчук, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. ФТП, 12, 2036 (1978)
- W. Schairer, D. Bimberg, W. Kotteler, K. Cho, M. Schmidt. Phys. Rev. B, 13, 3452 (1976)
- А.Я. Шмик. ФТП, 26, 1161 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
