Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Журавлев К.С.¹, Калагин А.К.¹, Мошегов Н.Т.¹, Торопов А.И.¹, Шамирзаев Т.С.¹, Шегай О.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника As₂ при постоянном потоке мышьяка на электрофизические характеристики и фотолюминесценцию намеренно не легированного GaAs, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Слои GaAs, выращенные из As₄, имеют p-тип проводимости с концентрацией свободных дырок при 300 K p=(9/ 90)· 10¹³ см^-3. В спектрах экситонной фотолюминесценции наиболее чистых слоев доминирует линия свободного экситона. Повышение температуры крекинга сопровождается постепенным изменением типа проводимости от p к n, что связано с понижением концентрации мелких акцепторов - углерода, магния, цинка и возрастанием концентрации мелких доноров - серы и селена. Источником мелких доноров и акцепторов является мышьяк шихты. Изменение концентрации примесей на связано с изменением стехиометрии растущего слоя при повышении доли As₂ в полном потоке мышьяка, а обусловлено процессами, происходящими в зоне крекинга.

L.P. Erickson, T.J. Mattord, P.W. Palmberg, R. Fischer, H. Morkoc. Electron. Lett., 19, 632 (1983)
J.H. Neave, P. Blood, B.A. Joyce. Appl. Phys. Lett., 36, 311 (1980)
H. Kunsel, J. Knecht, H. Jung, K. Wunstel, K. Ploog. Appl. Phys. A, 28, 167 (1982)
J.C. Garcia, A.C. Beye, J.P. Contour, G. Neu, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 52, 1596 (1988)
T.M. Kerr, C.E.C. Wood, S.M. Newstead, J.D. Wilcox. J. Appl. Phys., 65, 2673 (1989)
C.R. Stenley, M.C. Holland, A.H. Kean, J.M. Chamberlain, R.T. Grimes, M.B. Stanaway. J. Cryst. Growth, 111, 114 (1991)
R. Chow, R. Fernandez, D. Atchley, K. Chan, D. Bliss. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 163 (1990)
Б.А. Джойс. В кн.: \it Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., Мир, 1989) с. 37
C.R. Stenley, M.C. Holland, A.H. Kean. Appl. Phys. Lett., 57, 1992 (1990)
C.R. Stenley, M.C. Holland, A.H. Kean, M.B. Stanaway, R.T. Grimes, J.M. Chamberlain. Appl. Phys. Lett., 58, 478 (1991)
D.L. Miller, S.S. Bose, G.J. Sullivan. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 311 (1990)
B.S. Elman, E.S. Koteles, S.A. Zemon, Y.J. Chi. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 757 (1987)
M. Heiblum, E.E. Mendez, L. Osterling. J. Appl. Phys., 54, 6982 (1983)
Sang Boo Nam, D.W. Langer, D.L. Kingston, M.J. Luciano. Appl. Phys. Lett., 31, 652 (1977)
Z.H. Lu, M.C. Hanna, D.M. Szmyd, E.G. Oh, A. Majerfeld. Appl. Phys. Lett., 56, 177 (1990)
D.J. Ashen, P.A. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White, P.D. Green. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
A.M. Gilinsky, K.S. Zhuravlev. \it Proc. Int. Workshop Semiconductor Characterization (USA, Gaithersburg, 1995)
M. Naganuma, K. Takahashi. Phys. St. Sol., 31, 187 (1975)
J.R. Arthur. Surf. Sci., 38, 394 (1973)
B.J. Skromme, S.S. Bose, B. Lee, T.S. Low, T.R. Lepkowski, R.Y. DeJule, G.E. Stillman, J.C.M. Hwang. J. Appl. Phys., 58, 4685 (1985)
К.С. Журавлев, Н.А. Якушева, Т.С. Шамирзаев, В.Г. Погадаев, О.А. Шегай. ФТП, 27, 1473 (1993)
В.Г. Рцхиладзе. Мышьяк (М., Металургия, 1969)
N. Chand, R.C. Miller, A.M. Sergent, S.K. Sputz, D.V. Lang. Appl. Phys. Lett., 52, 1721 (1988)
E.C. Larkins, E.S. Hellman, D.G. Schlom, J.S. Harris, Jr., H.H. Kim, G.E. Stillman. Appl. Phys. Lett., 49, 391 (1986)
D.A. Andrews, R. Heckingbottom, G.J. Davies. J. Appl. Phys., 54, 4421 (1985)
Р. Хекингботтом. В кн.: \it Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., Мир, 1989) с. 65
N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegai. Cryst. Res. Thechol., 24, 235 (1989)
W.E. Ho, P.J. Lemoni, P.S.Lym, H.T. Hendri, D. We, P. Colombo. J. Cryst. Growth, 111, 269 (1991)
J. Nagle, R.J. Malik, D. Gershoni. J. Cryst. Growth, 111, 264 (1991)
\it Материалы в машиностроении, под ред. Ф.Ф. Химушина (М., Машиностроение, 1968) т. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель