Рассмотрены физические процессы, определяющие поведение туннельной МДП структуры на основе n-кремния при высокой плотности тока. Впервые предложена целостная аналитическая модель, позволяющая рассчитывать вольт-амперные характеристики МДП структуры при большом напряжении на диэлектрике. Приведена ''классификация'' возможных вольт-амперных характеристик структур. Проанализировано влияние эффекта оже-ионизации полупроводника инжектированными носителями (в том числе при наличии сильного поля в полупроводнике). Проведены расчеты, иллюстрирующие зависимость вида характеристик прибора от уровня легирования подложки. Исследованы условия возникновения и характеристики так называемого ''включенного'' состояния, в котором потеря неосновных носителей из инверсного слоя происходит не только за счет туннелирования в металл, но и вследствие их диффузии в толщу полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.