Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства МДП структуры с пленкой магнитного полупроводника в качестве изолятора
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия 
Поступила в редакцию: 26 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Рассмотрено поведение емкости структуры металл-диэлектрик-полупроводник с пленкой магнитного полупроводника Eu1-xSmxO в качестве изолятора в зависимости от постоянного магнитного поля и освещения при T=77 K. Увеличение емкости при освещении и ее уменьшение в магнитном поле обсуждается с точки зрения соотношения процессов генерации свободных носителей заряда в пленке и в приповерхностной области полупроводника, а также их оттока через диэлектрик при определенных условиях.
- В.Ю. Буров, Л.А. Отавина, А.М. Свердлова. Поверхность, N 1, 155 (1990)
- В.Ю. Буров, А.М. Свердлова, Л.Д. Финкельштейн, Н.Н. Ефремова. Поверхность, N 1, 124 (1992)
- В.Ф. Кабанов. ФТП, 26, 1837 (1992)
- В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова. ФТП, 27, 1340 (1993)
- Ю.Д. Думаревский, Н.Ф. Ковтонюк, А.И. Савин. \it Преобразование изображений в структурах полупроводник--диэлектрик (М., Наука, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
