Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Идентификация каналов излучательной рекомбинации в структурах с квантовыми точками
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
2Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 10 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Исследованы фотолюминесцентные свойства образцов с квантовыми точками (In,Ga)As, сформированными in situ в матрице GaAs методами молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. В обоих случаях в спектрах фотолюминесценции помимо состояний, обусловленных квантовыми точками и так называемым ''смачивающим слоем'', выявлены полосы, связанные с рекомбинацией неравновесных носителей, локализованных в двумерных островках (In,Ga)As толщиной в несколько монослоев. Обнаружены различия в процессах захвата и релаксации носителей в квантовые точки и островки.
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- U. Bockelmann, G. Bastard. Phys. Rev. B, 42, 8947 (1990)
- H. Benisty, C.M. Sotomayor-Torres, C. Weisbuch. Phys. Rev. B, 44, 10 945 (1991)
- T. Inoshite, H. Sakaki. Phys. Rev. B, 46, 7260 (1992)
- U. Bockelmann, T. Egeler. Phys. Rev. B, 46, 15 574 (1992)
- U. Bockelmann. Phys. Rev. B, 48, 17 637 (1993)
- P.D. Wang, C.M. Sotomayor-Torres. J. Appl. Phys., 74, 5047 (1993)
- H. Benisty. Phys. Rev. B, 51, 13 281 (1995)
- P.M. Petroff, S.P. Den Baars. Superlatt. Microstructr., 15, 15 (1994)
- J.M. Moison, F. Hauzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
- А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Д.Л. Федоров, Д. Бимбег, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1345 (1996)
- M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Reb. B (in press)
- N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
- D. Bimberg, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, O.Schmidt, M. Grundmann, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, U. Gosele, J. Heydenreich. \it Ext. Abstracts Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'95) (Osaka, Japan, 1995) p. 716
- N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S. Zaitsev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. \it 7th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures (MSS-7) (Madrid, Spain, 1995) [Sol. St. Electron., to be published]
- R. Heitz, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, L. Eckey, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov. Surf. Sci. (in press)
- N.N. Ledentsov, P.D. Wang, C.M. Sotomayor-Torres, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 50, 12 171 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
