Вышедшие номера
Идентификация каналов излучательной рекомбинации в структурах с квантовыми точками
Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Рувимов С.С.1, Устинов В.М.1, Комин В.В.1, Кочнев И.В.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 10 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства образцов с квантовыми точками (In,Ga)As, сформированными in situ в матрице GaAs методами молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. В обоих случаях в спектрах фотолюминесценции помимо состояний, обусловленных квантовыми точками и так называемым ''смачивающим слоем'', выявлены полосы, связанные с рекомбинацией неравновесных носителей, локализованных в двумерных островках (In,Ga)As толщиной в несколько монослоев. Обнаружены различия в процессах захвата и релаксации носителей в квантовые точки и островки.