Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторах
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Исследовано подавление эффекта оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторе с туннельным МОП эмиттером на основе структуры Al/SiO2/n-Si. Выравнивание потенциала индуцированной базы вдоль эмиттера происходит за счет внутреннего источника неосновных носителей - оже-ионизации, вызываемой инжектируемыми электронами. Для количественного объяснения эффекта сделано предположение о более низкой подвижности дырок в туннельных МОП структурах по сравнению с ''толстыми'' структурами. Изучено влияние ''выравнивания'' потенциала базы при инициации оже-процесса как на статические характеристики прибора, так и на переходной процесс установления коллекторного тока. Обсуждены условия наблюдения подавления оттеснения эмиттерного тока в оже-транзисторе, в частности влияние коллектороного напряжения.
- Н.С. Спиридонов. \it Основы теории транзисторов (Киев, "Техника", 1975)
- A.G. Milnes, D.L. Feucht. \it Metal-Semiconductor Junctions (N.Y. and London, Academic Press, 1972)
- И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17, 44 (1991)
- I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. Electron., 38, 1533 (1995)
- M.I. Vexler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-42, 656 (1995)
- Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28, 1314 (1994)
- K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-35, 188 (1988)
- P.V. Dressendorfer, R.C. Barher. Appl. Phys. Lett., 36, 933 (1980)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. \it Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
- А.А. Гузев, Г.Л. Курышев, С.П. Синица. ФТП, 4, 2043 (1970)
- C. Chang, C. Hu, R. Brodersen. J. Appl. Phys., 57, 302 (1985)
- E. Cartier, M. Fishetti, E.A. Eklund, F.R. McFeely. Appl. Phys. Lett., 62, 3339 (1993)
- J. Bude, K. Hess, G.J. Iafrate. Phys. Rev. B, B45, 10958 (1992)
- Г.И. Атабеков. \it Теоретические основы электротехники (М.; Л., Энергия, 1966) ч. 1, гл. 11
- А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. \it Уравнения математической физики (М., Наука, 1972)
- В.Н. Ивахно. ФТП, 6, 1612 (1972)
- E.R. Fossum, R.C. Barker. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1184 (1984)
- M.K. Moravvej-Farshi, M.A. Green. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-7, 513 (1986)
- J.G. Simmons, G.W. Taylir. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
- T. Yoshimoto, K. Matsumoto, K. Sakamoto, T. Sakata. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L2012 (1991)
- S.K. Lai, P.V. Dressebdorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38, 41 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
