Проведены электронно-микроскопические исследования арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (200^o C) температуре (LT-GaAs), в котором в результате отжига при 600^o C происходит преципитация избыточного мышьяка. С использованием техники муара показано, что уменьшение размеров As-кластеров от 10-12 до 3 нм приводит к значительным изменениям межплоскостных расстояний в изначально гексагональной структуре мышьяка. Эти изменения не согласуются с деформационным воздействием матрицы LT-GaAs и обусловлены, по-видимому, тем, что мелкие (<3 нм) кластеры обладают кубической структурой. Перестройка атомной структуры кластеров мышьяка может иметь важные последствия для объяснения изолирующих свойств LT-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.