Вышедшие номера
Примесные состояния ванадия в теллуриде кадмия и цинка
Гнатенко Ю.П., Гамерник Р.В., Фарина И.А., Блашкив В.С., Крочук А.С.
Поступила в редакцию: 9 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Проведены низкотемпературные исследования оптических (4.5 K) и фотоэлектрических свойств кристаллов CdTe и ZnTe, легированных ванадием. Для 3d3-иона ванадия определены энергии перехода носителей в зоны проводимости и валентную, а также энергии Мотта-Хаббарда в обоих кристаллах. Обнаружен резонанс возбужденного 4Ti(4P)-состояния иона V2+ с зоной проводимости кристалла CdTe.