Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксационные электронные процессы в монокристаллах TlGaSe 2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 27 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Показано, что спадающая релаксация тока, гистерезис ВАХ и накопление заряда в образцах M-TlGaSe2-M обусловлены протеканием инжекционного тока по состояниям, локализованным в запрещенной зоне монокристраллов. Определены контактная емкость Cc=600 пкФ, область сосредоточения заряда в монокристалле TlGaSe2 dc=1.56· 10-4 см, максимальная плотность накопленного заряда Qmax=2.4· 10-7 Кл/см2, подвижность носителей заряда в запрещенной зоне muf=3.75· 10-4 см2/В· с, а также концентрация ловушек, ответственных за процессы накопления заряда в образцах M-TlGaSe2-M N=1016 см-3.
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 26, 1564 (1990)
- S.N. Mustafaeva, S.D. Mamedbeili. \it Abstracts 9th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Yokohama, 1993)p. 281
- С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, И.А. Мамедбейли. Нерог. матер., 30, 626 (1994)
- М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
- Б.Л. Тиман.ФТП, 7, 225 (1973)
- И.А. Карпович, А.А. Червова, Л.И. Демидова, Е.И. Леонов, В.М. Орлов. Неорг. матер., 8, 70 (1972)
- А.М. Дарвиш, А.Э. Бахышов, В.И. Тагиров. ФТП, 11, 780 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
