Двухфотонное поглощение в многоямной квантовой структуре GaAs/Ga 1-xAlxAs
Аветисян С.К.1, Меликян А.О.1, Минасян Г.Р.1
1Армянский государственныый инженерный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Теоретически рассмотрено двухфотонное поглощение в широкобарьерной гетероструктуре GaAs/Ga1-xAlxAs (x=<0.35) и проведено сравнение с экспериментом. В расчетах учтены реальная зонная структура материалов ямы и барьера, а также конечность энергетических скачков Delta Ec, Delta Ev для потенциала гетероструктуры. В случае поляризации e|| z дано отличное от работы [1] объяснение отсутствия поглощения в яме, основанное на учете конечности глубины потенциальной ямы. Предложен эксперимент, позволяющий для рассмотренных структур из приведенных в литературе значений отношения Delta Ec/Delta Ev выбирать наиболее близкое к действительному значение.
- H.N. Spector. Phys. Rev. B, 35, 5876 (1987)
- A. Pasquarello, A. Quattropani. Phys. Rev. B, 38, 6206 (1988)
- K. Tai, A. Mysyrowicz, R.J. Fisherm, R.E. Slusher, A.Y. Cho. Phys. Rev. Lett., 62, 1784 (1989)
- М.А. Хармен. Полупроводниковые сверхрешетки (М., Мир, 1989)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- Е.Л. Ивченко. ФТТ, 14, 3489 (1972)
- С.Б. Арифжанов, Е.Л. Ивченко. ФТТ, 17, 81 (1975)
- P. Voisin, G. Bastard, M. Voss. Phys. Rev. B, 29, 935 (1984)
- R.C. Miller, P.A. Kleinman, A.C. Gossard. Phys. Rev. B, 32, 7085 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук