Кремний n-типа, выращенный по методу Чохральского (Si-v Cz) и по методу зонной плавки (Si-Fz) в исходном состоянии, а также подвергнутый термообработке (T₀), способствующей преципитации кислорода (900^oС, 24 ч), облучался gamma-лучами ⁶⁰Co при 300 К, а затем отжигался при 375^oС. До и после облучения, а также после отжига измерялись проводимость и коэффициент Холла, кроме того, с помощью фотоэлектрического метода (Витовский Н.А. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 5. С. 882-885) исследовались скопления компенсирующих акцепторных центров. При облучении Si-Fz, не подвергнутого ТО, растут доля объема кристалла, занятая областями пространственного заряда скоплений, и суммарное число зарядов в них; эти параметры практически не изменяются при облучении Si-v Cz. Облучение материала, подвергнутого предварительной ТО, напротив, приводит к более интенсивному росту скоплений в Si-v Cz. Анализ результатов позволяет утверждать, что в исходных образцах Si-Fz и Si-v Cz присутствуют скопления углерода, их электрическая активность (акцепторы) обеспечивается тем, что в их составе имеются комплексы атом углерода в узле + атом углерода в межузлии (C_i-C₈). В Si-v Cz, подвергнутом ТО и облученном, присутствуют, кроме того, скопления кислорода, электрическая активность которых обеспечивается присутствием A-центров. Все результаты объясняются в предположении возможности активации" и дезактивации" скоплений как углерода, так и кислорода при захвате скоплениями вакансий или межузельных атомов кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.