Развиты теория и методика анализа результатов релаксационных экспериментов по спектроскопии электронных состояний, локализованных в области границы раздела полупроводник-диэлектрик, в частности, в условиях туннельного обмена носителями заряда между этими состояниями и разрешенными зонами полупроводника. Построены алгоритмы выделения и обработки сигналов полевой релаксационной спектроскопии (ПРС) из нестационарных полевых зависимостей разрядного тока МДП структуры, регистрируемых одновременно с ВЧ вольтфарадными характеристиками при линейном законе изменения напряжения. На примере Si-МОП структур с помощью экспериментов, выполненных в области температур 50-90 K, показано, что ПРС - эффективный инструмент исследования характеристик мелких пограничных состояний, в частности области их пространственной локализации. Тем самым ПРС открывает новые возможности изучения влияния конструктивных и технологических факторов на плотность мелких электронных состояний, обусловливающих избыточный шум и нестабильность порогового напряжения полевых транзисторов, в особенности при низких температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.