Вышедшие номера
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
Быковский В.Ю., Вовненко В.И., Дмитрук Н.Л., Свечников С.В.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Проанализированы особенности спектров НЕСГУ диодов Шоттки, изготовленных путем напыления Al на микрорельефную поверхность GaAs. Показано, что особенности спектров НЕСГУ обусловлены изменением стехиометрического состава поверхности и приповерхностной области GaAs после анизотропного травления поверхности; влиянием сильного электрического поля, возникающего в области пространственного заряда под неплоской поверхностью GaAs. Использование макрогетерогенной модели для аппроксимации спектров на ЭВМ позволяло определить распределения электрического поля и концентрации центров EL2 под неплоской поверхностью GaAs.