На основе анализа изменений спектра НЕСГУ облученного n-GaAs (n₀=3· 10¹⁴-3· 10¹⁷ см^-3) в зависимости от напряженности электрического поля, а также данных по термическому отжигу установлено, что пик E3 является составным. Для его модификации E3_alpha, являющейся основной в материале с n₀=3·10¹⁴-10¹⁶ см^-3, характерны сильная зависимость скорости эмиссии электронов (e_n) от величины электрического поля (при E >~= 10⁵ В/см²) и высокая термическая стабильность (T_отж=220^oС). Модификация E3_beta, преобладающая в низкоомном GaAs (n >~= 10¹⁷см^-3) в случае электронного облучения, отличается сравнительно низкой термической стабильностью (T_отж=140^oС) и независимостью e_n от напряженности электрического поля. Определено, что энергия активации эмиссии электронов для E3_beta составляет ~0.37 эВ, а процесс их захвата на центр является термически активируемым с E_sigma=0.24 эВ. Показано, что пик E3_p, возможно, связан с эмиссией электронов из Aⁿ⁺¹-состояния конфигурационно-бистабильного центра EM1 в GaAs. Установлено, что отжиг E3_beta описывается уравнением кинетики химических реакций 1-го порядка с E_theta=0.86 эВ и lambda₀=3·10⁷с^-1. Относительно низкая скорость введения E3_beta в случае gamma-облучения связывается с низкой термической стабильностью центра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.