Методом DLTS исследованы профили дефектов вакансионной природы у поверхности кремния, покрытого окисной пленкой, после облучения структур пучком электронов с энергией 4 МэВ. Показано, что затягивание" радиационных нарушений в глубь кристалла связано с воздействием упругих напряжений в системе Si-SiO₂, в то время как силы электрического происхождения, которые индуцируются зарядом в окисле и на границе раздела Si-SiO₂, могут приводить к появлению немонотонного распределения радиационных дефектов в пределах ОПЗ. Предложена модель вторичного дефектообразования. Проведен расчет эффективной силы, действующей на поток первичных точечных дефектов в кремнии, покрытом окисной пленкой различной толщины. Получена оценка значения скорости протекания квазихимической реакции образования дивакансии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.