Исследовался эффект анизотропии оптического отражения поверхности (110) арсенида галлия. Эффект состоит в том, что в спектральной области выше края фундаментального поглощения коэффициенты отражения R_|| и R _normal света, линейно поляризованного соответственно вдоль двух лежащих на данной плоскости осей [110] и [001], оказываются различными. При регистрации эффекта использовалась методика модуляции поляризации падающего излучения. Эксперименты выполнялись на образцах GaAs с разным уровнем легирования, а также на поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs при приложении напряжения смещения. Установлено, что эффекты анизотропии отражения, которые возникают в кристаллах при возрастании концентрации носителей заряда и в структурах при увеличении напряжения смещения, полностью аналогичны и вызваны действием приповерхностного электрического поля E_s в области изгиба зон. В обоих случаях выделен сигнал анизотропии, наводимый электрическим полем. Количественные исследования показывают, что амплитуда такого сигнала возрастает пропорционально E_s², что согласуется с представлениями теории электрооптических эффектов для случая поверхности (110) и нормального к ней электрического поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.