Исследованы электрические, оптические и фотоэлектрические свойства пленок составов InSe, In₄Se₃ и In₂Se. Электропроводность аморфных пленок при комнатной температуре изменяется в пределах от 10^-4 до 1 Ом^-1· м^-1 при изменении состава от InSe до In₂Se. Из сопоставления температурных зависимостей электропроводности и фотопроводимости аморфных пленок InSe и In₄Se₃ определены энергия активации прыжков по локализованным состояниям у края зоны (соответственно 0.09 и 0.05 эВ) и протяженность локализованных состояний (0.18-0.2 эВ). Кристаллизация пленок InSe и In₄Se₃ сопровождается значительным увеличением электропроводности при сохранении ее активационного характера. Для пленок состава In₂Se характерен переход Андерсона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.