Изучены процессы накопления и отжига радиационных дефектов в структурах, изготовленных из пластин монокристаллического кремния КЭФ-7.5, на которых термическим окислением выращивался слой SiO₂ и затем наносился поликремний. В качестве контрольного материала использовались объемные кристаллы КЭФ-7.5. На различных этапах облучения gamma-квантами ⁶⁰Co (T_обл =<50^oС) и 15-минутного изохронного отжига методом Ван-дер-Пау измерялись температурные (T_изм=80/ 400 K) зависимости коэффициента Холла и электропроводности, а методом модуляции проводимости в точечном контакте - инжекционные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда. Установлено, что в структурах скорости образования комплексов углерод-кислород-дивакансия выше, а A-центров ниже, чем в контрольных образцах кремния. Отжиг этих дефектов в структурах начинается раньше и происходит в более широком интервале температур. Объяснение полученных результатов дано на основе представлении, учитывающих влияние деформационных напряжений и искажения кристаллической решетки вблизи границы раздела Si-SiO₂, а также наличие высокой плотности дислокаций, которые возникают в процессе создания структур и окружены примесной атмосферой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.