Емкостная спектроскопия локализованных состояний в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.
Приведены результаты изучения емкостных характеристик барьера на границе Me-ХСП в области инфранизких частот (10-5/ 10-3 c-1) при широкой вариации условий эксперимента - температуры, освещенности. Обнаружено аномально сильное влияние температуры и освещенности на величину емкости, предлагается модель, объясняющая полученные результаты. Показано, что поведение частотных зависимостей определяется характером функции плотности состояний, определен вид последней для As2Se3 в интервале ~0.3 эВ выше EF.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.