Обзор посвящен рассмотрению поведения редкоземельных элементов (РЗЭ) с незаполненной 4f-оболочкой в полупроводниковых соединениях A^IIIB^V. Обсуждены особенности технологии и проблема очистки" полупроводников, легированных РЗЭ. Приводятся данные по электронной структуре РЗЭ в полупроводниках (радиоспектроскопия и оптика); рассматриваются механизм возбуждения внутрицентровой люминесценции центров РЗЭ на электрические свойства полупроводников. Особо обсуждается поведение европия в фосфидах галлия и индия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.