При низких температурах исследованы селективно легированные гетероструктуры InP/In_0.53Ga_0.47As инвертированного типа как в равновесии - исходном состоянии, так и в режиме замороженной фотопроводимости (ЗФП). Обнаружено, что при уменьшении толщины верхнего узкозонного слоя от 2 до 0.15 мкм концентрация двумерных электронов в исходном состоянии снижается, а в состоянии насыщения ЗФП практически не изменяется. Предложена теоретическая модель, учитывающая перезарядку поверхностных состояний, связанную с влиянием гетерограницы и освещения. Сопоставление с экспериментом показало, что эта модель качественно и количественно описывает изменение параметров гетероструктуры InP/In_0.53Ga_0.47As при уменьшении толщины верхнего узкозонного слоя как в исходном состоянии, так и в режиме ЗФП при величине энергии пиннинга уровня Ферми E_s=(0.3± 0.05) эВ на поверхности InGaAs. Экспериментально и теоретически определена критическая толщина слоя InGaAs, ниже которой двумерная проводимость в гетероструктуре отсутствует. Рассчитана зависимость этой критической толщины от параметров слоев гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.