Измерены гальваномагнитные эффекты на образцах n-Hg_0.8Cd_0.2Te в интервале температур 1.36 =< T =< 25 K и в магнитных полях до 6 T. Наблюдавшиеся особенности проводимости в сильных магнитных полях объясняются для одной группы образцов наличием в кристаллах n-Hg_0.8Cd_0.2Te взаимопроникающих кластеров n- и p-типа, а для другой - прыжковым характером проводимости носителей заряда, локализованных во флуктуационных ямах примесного потенциала. При исследовании МДП структур из образцов с взаимопроникающими кластерами установлено, что проводимость объемных образцов в сильных магнитных полях не связана с поверхностной проводимостью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.