Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов ZnxCd1-xS
Яковлев В.А., Яковлев С.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.
Представление о локализации экситонов в твердых широкозонных полупроводниковых растворах на оптимальных флуктуациях концентрации используется для объяснения температурной и концентрационной зависимостей положения максимума линии спектра люминесценции ZnxCd1-xS.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.