Методом МПЭ получены на подложках GaAs гетероструктуры GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами и исследованы их магнитотранспортные свойства. Введение в конструкцию структуры дополнительной узкой квантовой ямы позволило значительно увеличить подвижность носителей при низких температурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.