Приведены результаты исследования быстродействия, фоточувствительности в прямом смещении, а также параметров структуры карбид-кремниевых p-n^*-n-переходов, полученных диффузией бора в кристаллы с отклонением от стехиометрии. Обнаружена однозначная корреляция между фоточувствительностью в ближней ИК области спектра при lambda~0.9 мкм и отклонением от стехиометрии. Обнаружено, что введение избыточных углеродных вакансий увеличивает инерционность p-n^*-n-структур, вероятно, вследствие модуляции заряда глубоких ловушек в базовой области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.