Рассмотрен микроскопический подход к описанию диффузии электрически взаимодействующих примесей в полупроводниках. В отличие от традиционного он позволяет учесть влияние корреляционных эффектов, установить концентрационную зависимость изоконцентрационного коэффициента диффузии и др. Показано, что пренебрежение корреляционными эффектами существенно ограничивает область применимости традиционных уравнений. Из полученных соотношений следует, что изоконцентрацнонный коэффициент диффузии слабо зависит от концентрации в случае однотипного легирования и сильно зависит от степени компенсации в случае компенсированных полупроводников. Это, в частности, может проявляться в необычной зависимости последнего.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.