Исследованы гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях в не легированных образцах n-InSb [n=(3/5)·10¹⁴ см^-3], облученных электронами (T~ 300 K, E=4/8 МэВ, Phi=<2·10¹⁷ см^-2), в интервале давлений P=<15 кбар. В облученных образцах вблизи дна зоны проводимости обнаружено появление глубокого уровня с энергией E_t~ E_c-0.05 эВ. Установлено, что под действием давления происходят увеличение энергии активации глубокого уровня E_t и n-p-конверсия при низких температурах, связанные с неизменностью энергетического положения уровня E_t относительно потолка валентной зоны антимонида индия. Сопоставление полученных результатов с данными других работ позволило заключить, что электронное облучение антимонида индия приводит к возникновению вблизи дна зоны проводимости трех глубоких уровней, отщепленных, по-видимому, от потолка валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.