По методу псевдопотенциала с учетом спин-орбитального взаимодействия для CdSiAs₂ вычислены энергетическая зонная структура, вероятности зона-зонных переходов для параллельной и перпендикулярной ориентации электрического вектора световой волны относительно оптической оси кристалла, а также распределение заряда валентных электронов в плоскости (110). На основе расчета дана интерпретация поляризованных спектров отражения, электроотражения и ФЭДС. Вычисленные карты электронной плотности показывают, что химическая связь в CdSiAs₂ имеет смешанный ионно-ковалентный характер. Максимумы зарядов на связях смещены вдоль связи по направлению к аниону, а также в сторону от направления связей. Смещение в сторону от направления связей таково, что максимумы зарядов на связях занимают положения, близкие к неискаженным тетраэдрическим. Вычислены также карты электронной плотности для отдельных связок валентных зон, что позволило установить энергетическое положение s- и p-атомных орбиталей аниона и катионов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.