Обнаружена сложная структура низкотемпературных спектров электролюминесценции гетероструктур n-GaSb-n-Ga_0.77In_0.23As_0.2Sb_0.8-p-GaSb с гетерограницей II-типа. В интервале энергий 0.45-0.62 эВ в спектре присутствуют четыре полосы излучения. Увеличение прикладываемого напряжения приводит к смещению полос излучения в сторону больших энергий (разному для каждой полосы) и перераспределению их интенсивностей. Анализ энергетического положения полос и их поляризационных характеристик показывает, что две низкоэнергетические полосы обусловливаются рекомбинацией электронов и дырок, разделенных гетерограницей II-типа. Рекомбинация происходит за счет туннелирования через гетерограницу легких дырок. Две высокоэнергетические полосы обусловливаются рекомбинацией электронов в узкозонном слое GalnAsSb с дырками соответственно на акцепторах и в валентной зоне. При рабочих для светодиодных структур напряжениях 1-2 В эти полосы доминируют в спектре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.