Исследована фотолюминесценция при 4.2 K слоев GaSb : Bi, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что изовалентное легирование висмутом позволяет существенно снизить концентрацию "природных" акцепторов и свободных дырок в антимониде галлия. Это явление, по-видимому, обусловлено двумя механизмами, наблюдаемыми ранее при исследовании изовалентного легирования соединений A^IIIB^V в жидкофазной эпитаксии: в области 0.1<[Вi]_ж<0.7 ат. доли - в основном за счет присутствия висмута в твердой фазе, в области [Bi]_ж~ 0.8-0.9 ат. доли - в основном за счет изменения свойств жидкой фазы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.