Показано, что темп междузонных ИК переходов в деформированном узкощелевом полупроводнике существенно изменяется уже при малых деформациях, когда величина индуцированного сжатием расщепления между подзонами валентной зоны становится сравнимой с тепловой энергией дырок. При этом скорость излучательной рекомбинации увеличивается, а на зависимости коэффициента собственного поглощения от частоты падающего излучения появляется характерный излом, связанный с включением переходов из нижней валентной подзоны. Результаты расчета находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.