Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ) в полупроводниках измерены скорости введения основных радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном при комнатной температуре ионами водорода с энергией 7.8 МэВ и ионами гелия с энергий 25.2 МэВ. Найдено, что скорость введения дефектов, обусловливающих появление в спектрах НСГУ пика E1 (перезарядка уровней примесных комплексов атом кислорода-вакансия и углерод внедрения-углерод замещения), не зависит от метода выращивания и исходного удельного сопротивления кремния. Такой же результат получен для скорости введена дефекта, обусловливающего появление в спектрах НСГУ пика E2 (уровень E_c- 0.21 эВ). Скорость введения дефектов, создающих пик ЕЗ (перезарядка уровней дивакансии, дивнедрения и комплекса атом фосфора-вакансия), зависит от метода выращивания кристаллов, однако это различие исчезает после отжига образцов при температуре 170^oС. Экспериментальные результаты проанализированы на основе количественной модели дефектообразования, учитывающей накопление дефектов как вакансионного, так и междоузельного типа. Показано, что предложенная модель может быть использована для оценки (с точностью ~ ±20 %) скоростей введения стабильных радиационных дефектов в облученном кремнии выращенном методами Чохральского и зонной плавки, с различным удельным сопротивлением в интервале 1/ 100 Ом · см.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.