Предложен аналитический метод решения кинетического уравнения для горячих электронов, взаимодействующих с полярными оптическими фононами. Найдены угловая и координатная зависимости функции распределения неравновесных электронов, инжектируемых в базу двойной гетероструктуры с монополярной проводимостью. Рассчитан коэффициент усиления по току транзисторов с переносом поперек активных слоев на основе такой структуры. Для сравнения проведено численное моделирование переноса горячих электронов методом Монте-Карло, причем полученные результаты хорошо согласуются с аналитической моделью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.