Проведено численное исследование модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания. Получены сложные регулярные и непериодические решения и цепочка бифуркаций удвоения периода, приводящая к возникновению хаоса. Достигнуто хорошее качественное и количественное соответствие с результатами эксперимента.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.