На основе диффузионной теории переноса носителей заряда через межкристаллитный барьер рассмотрено влияние фотовозбуждения на ВАХ бикристалла с проводимостью зерен n-типа и с акцепторными пограничными состояниями (ПС). С целью исследования возможности генерации фотоэдс в бикристалле предполагается, что темп фотогенерации электронно-дырочных пар g₁ и время жизни дырок tau₁ с одной стороны от границы зерен в общем случае отличны от соответствующих значений g₂ и tau₂ - с другой. Представлены результаты численного расчета ВАХ бикристалла широкозонного полупроводника при различных значениях g₁, g₂, tau₁ и tau₂. В освещенном бикристалле с несимметричными свойствами [g₁# g₂ и (или) tau₁ # tau₂] кривые ВАХ не проходят через начало координат, что означает генерацию фотоэдс в бикристалле. В случаях g₁# 0, g₂=0, tau₁=tau₂ и g₁=g₂# 0, tau₁ # tau₂ найдены зависимости от g₁ напряжения холостого хода U_хх и плотности тока короткого замыкания j_кз (U_xx~ 10 мВ, j_кз до 200 мА/см²). Обсуждается возможность использования предлагаемой теории для объяснения АФН эффекта в поликристаллических пленках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.