Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
Гусев М.Ю., Дмитриев А.И., Зюганов А.Н., Ковалюк З.Д., Лазоренко В.И., Лашкарев Г.В., Смертенко П.С.
Выставление онлайн: 20 июля 1990 г.
Исследование вольт-амперных характеристик монокристаллов слоистого полупроводника InSe в области температур 4.2-30 К свидетельствует о том, что объект представляет собой естественную сверхрешетку с периодом порядка 1500 Angstrem, в которой при внешних электрических полях выше 1 В/см имеет место прыжковая проводимость по локализованным примесям.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.