Исследовано пространственное распределение носителей заряда в образцах Ge при T =300 K в условиях их контактной эксклюзии путем измерения поглощения свободными носителями излучения CO₂-лазера (rho= 10.6 мкм) в спектральной области за краем собственного поглощения. В условиях, когда вблизи антизапорного контакта p⁺-p-структуры вследствие выноса биполярной плазмы в омический контакт образуется область почти полного истощения, впервые обнаружена область скачкообразного возрастания концентрации носителей при переходе от истощенной области образца к его невозмущенной части.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.