Экспериментально на образцах чистого n-Ge исследована фотопроводимость в условиях винтовой неустойчивости. Обнаружено, что при локальном фотовозбуждении сильнопоглощающимся излучением на пороге возбуждения осциллистора фотопроводимость становится отрицательной. Такое поведение фотопроводимости объясняется переходом электронно-дырочной плазмы в образце в состояние конвективной неустойчивости. Показано, что этот эффект имеет универсальный характер и не зависит от геометрии образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.