Приведены спектральные характеристики фотоэлектронной эмиссии, а также вольт-амперные и температурные характеристики темновой электронной эмиссии из изотипных гетероструктур p-типа с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag. Рассмотрены процесс снижения внешним напряжением потенциального барьера в зоне проводимости на гстерогранице таких структур, а также транспорт электронов через этот барьер при фотоэлектронной эмиссии из указанных структур. Показано, что темновая электронная эмиссия из гетероструктур InGaAs-InP-Ag определяется тепловой генерацией электронов в области пространственного заряда InGaAs вблизи гетерограницы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.