Построена теоретическая модель туннельно-резонансного инжектора с буферный слоем, позволяющая исследовать влияние механизма переноса электронов через этот слой на вольт-амперную характеристику элемента. Показано, что квазибаллистический перенос резонансных электронов приводит к увеличению отрицательного дифференциального сопротивления на падающем участке вольт-амперной характеристики, а также к формированию двух областей отсечки, наблюдаемых во многих экспериментах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.