Измерялись температурные зависимости коэффициента Холла на различных этапах облучения gamma-квантами ⁶⁰Co или быстрыми нейтронами реактора и последующего изохронного отжига (T=100-600^oС) выращенных бестигельной зонной плавкой бездислокационных (в атмосфере аргона), нейтронно-легированных и малодислокационных с N_D =< 2· 10⁴ см^-2 (в вакууме - контрольные образцы) кристаллов n-Si (rho=30-100 Ом · см). Установлено, что при кратковременной термообработке (T= 300-350^oС) предварительно облученного аргонного" n-Si происходит образование устойчивых до 400^oС донорных центров. С учетом положения создаваемых дефектами донорного типа энергетических уровней, прямо пропорциональной зависимости их концентрации от дозы облучения, корреляции концентраций этих дефектов и кислорода, входящего в состав A-центров, а также отсутствия донорных центров в необлученных кристаллах, подвергнутых идентичным термообработкам, сделано заключение о радиационно-стимулированном образовании термодоноров-1 (ТД-1) в зонном кремнии. При объяснении полученных результатов предполагается, что в таких кристаллах присутствуют мелкие включения, создающие поля упругих напряжений и окруженные атмосферой из фоновых примесей. При облучении вблизи включений накапливаются A-центры и комплексы C_i-C_s, взаимодействие которых при отжиге (T= 180-240^oС) приводит к формированию углерод-кислородных ассоциаций, перестраивающихся при дальнейшем прогреве кристалла (T= 300-400^oС) в ТД-1. Уменьшение термической стабильности A-центров, комплексов C_i-C_s и образовавшихся ТД-1 связано с влиянием упругих напряжений на энергию связи и миграции дефектных комплексов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.