Теоретически и экспериментально исследованы спектральные характеристики (СХ) вольтовой фоточувствительности Delta V длинных диодных структур с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны E_g в базе при различных уровнях инжекции и типах тылового контакта. Нелинейное координатное изменение E_g в базе инжекционных варизонных фотодиодов (ИВФД) аппроксимируется двумя линейными участками. Получено координатное распределение концентрации неравновесных носителей заряда в варизонной базе диода, необходимое для расчета СХ Delta V. Изучено влияние различных профилей E_g в базе ИВФД на полуширину СХ, спектральное положение и величину максимума вольтовой фоточувствительности. Обнаружена немонотонная (с максимумом) зависимость полуширины СХ Delta V от уровня инжекции. Полученные экспериментальные зависимости были описаны расчетными кривыми при аппроксимации профиля ширины запрещенной зоны двумя линейными участками. Данные исследования показали, что использование в качестве базы ИВФД полупроводников с нелинейным профилем E_g позволяет формировать СХ заданной формы в требуемой области спектра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.