На примере гетероперехода GaAs/AlAs рассчитана электропроводность нерезких разнодолинных Gamma X-гетеропереходов, обусловленная междолинным рассеянием электронов в переходной области и вблизи нее с испусканием или поглощением междолинных фононов, а также на флуктуациях состава сплава, образующегося в указанной переходной области с шириной a. Показано, что прозрачность таких контактов для электронов определяется их транспортом через треугольный потенциальный барьер, эффективно образующийся в переходной области, и носит либо чисто туннельный (при низких температурах и малых a), либо термотуннельный (при промежуточных температурах и ширинах), либо термоэмиссионный (при высоких температурах и больших a) характер. Поэтому при низких температурах и больших ширинах a электропроводность такого перехода экспоненциально мала и он является эффективным Gamma X-изолятором. С уменьшением ширины a зависимость прозрачности от a имеет немонотонный вид. Наряду с аналитической теорией в работе приведены результаты численных расчетов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.