Анализируется влияние бистабильных дефектов (БД) на статистические и рекомбинационные свойства носителей тока в полупроводниках. Показана необходимость учета обеих конфигураций БД для корректного описания температурных зависимостей концентрации носителей тока и времени жизни неосновных носителей тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.