Представлены результаты экспериментальной проверки теории баллистического и квазибаллистического транспорта горячих фотоэлектронов из полупроводника в металл в поверхностно-барьерных структурах на примере Au-GaAs. Спектры фоточувствительности этих структур с разной концентрацией легирования полупроводника хорошо совпадают с теоретическими расчетами, выполненными в рамках модели баллистического и квазибаллистического транспорта. На основе проведенных исследований был предложен путь увеличения квантовой эффективности в коротковолновой области спектра. Он заключается в дополнительном легировании полупроводника глубокими центрами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.