Предложена количественная теория электронной структуры примесей V группы на дислокациях в ковалентных полупроводниках. Показано, что обычное предположение о положении примеси непосредственно на оси дислокации не подтверждается опытами по ЭПР. Рассмотрена новая модель, в которой примесный атом предполагается расположенным не на самой оси, а вблизи нее на расстоянии порядка постоянной решетки. В рамках такой модели рассчитаны донорные, акцепторные и резонансные состояния. Положение резонансного уровня хорошо согласуется с результатами DLTS-экспериментов для атомов фосфора на дислокации в кремнии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.