Проанализирован механизм магниточувствительности симметричной тиристорной структуры на основе математического моделирования распределения концентрации инжектированных носителей заряда в длинной базе составляющих горизонтальных транзисторов при наличии внешнего магнитного поля. Показано, что при минимальной длине эмиттера (технологически допустимой) конкурирующим механизмом магниточувствительности является эффект отклонения инжектированных носителей заряда в базе под действием силы Лоренца и электрического поля Холла, в сочетании с тиристорным эффектом обеспечивающий при смене полярности магнитного поля не только включение, но и выключение составляющих тиристоров. Теоретическое и экспериментальное значения верхней границы коэффициента выключения соответственно равны beta_теор=1.25 и beta_экс=1.17.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.