Исследовано влияние высокотемпературной термообработки (ВТО) на рекомбинационные и структурные свойства полуизолирующего GaAs, выращенного методом Чохральского к легированного Cr или Cr₂O₃. Установлено, что времена жизни носителей заряда tau_R коррелируют с плотностью дислокаций, а увеличение значения tau_R, после ВТО может быть обусловлено уменьшением числа центров безызлучательной рекомбинации за счет генерирования их дислокациями. Определена энергия активации отжига рекомбинационного центра- E_a=(0.1±0.02) эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.